Pour les régulateurs de tension à découpage, Toshiba Electronics vient d’introduire une gamme de MOSFET rapides, haute-tension et ultra-haut rendement. Proposés avec des tensions nominales respectives de 800 V ou 900 V, ces quatre dispositifs canal-N TK4A80E 4.0 A / 5.0 A et TK3A90E 2.5 A / 4.5 A offrent une résistance à l’état passant RDS(ON) typique de seulement 1.9 ohm.

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